Компания Samsung Electronics представила в понедельник сразу две технологические новинки: четырехгигабитную флэш-память NAND и 512-мегабитный модуль оперативной памяти DRAM, причем обе новинки изготовлены, соответственно, по 70-нанометровому и 80-нанометровому технологическим процессам. Кроме того, компания объявила о разработке новой концепции в производстве флэш-памяти NAND, совмещающей чип памяти с системной логикой.

Четырехгигабитные чипы NAND-флэш представляют собой пятое поколение флэш-памяти компании Samsung. Освоение 70-нанометрового техпроцесса позволило сократить размер одной ячейки памяти до 0,0252 нм². В результате, объем NAND-памяти может достигать 8 гигабит (до этого пределом были 4 гигабита). Кроме того, инженеры Samsung использовали в чипах 30-нанометровые вольфрамовые затворы, что позволяет понизить сопротивление в соединениях между ячейками и сделать работу чипа стабильнее. В компании также рассчитывают применять вольфрамовые затворы при освоении 50-нанометрового техпроцесса.

Флэш-память широко применяется в таких устройствах, как карманные компьютеры, Tabet PC и MP3-плееры. Рынок этого вида памяти, по оценкам Samsung, вырастет в ближайшее время более чем впятеро и составит к 2007 году 16 миллиардов долларов США, в то время как, по прогнозам, в 2003 году он достигнет рубежа 3 миллиарда долларов.

Второй новинкой, представленной Samsung, стал 512-мегабитный модуль DRAM, выполненный по 80-нанометровой технологии. Микрочип изготовлен с использованием технологии Recess Channel Array Transistor (RCAT), одной из особенностей которой является применение трехмерной архитектуры в создании транзистора вместо стандартной двухмерной. Это позволило уменьшить размер самой ячейки памяти и, соответственно, увеличить плотность ячеек на пластине. Кроме того, в новом модуле использованы те же вольфрамовые затворы, заметно снизившие тепловыделение от пластины и понизившие сопротивление соединений между ячейками. Емкость чипов, выполненных по этой технологии, будет составлять от 512 мегабит до 1 гигабита, а скорость обмена данными у новой памяти DRAM вырастет до 3 Гбит/с.

Последней новинкой от Samsung стал интегрированный чип оперативной памяти, совместивший в себе непосредственно саму память и системную логику. Сама компания назвала новую технологию "объединенной памятью" (Fusion Memory). Первым устройством, выполненным по данной технологии, станет 512-мегабитный модуль OneNAND. По мнению компании, внедрение новинки позволит минимизировать издержки и время на оптимизацию системных оболочек к флэш-памяти NAND. В этой связи аналитики Samsung планируют, что Fusion Memory будет постепенно вытеснять комбинацию "NOR + память" в системах, от которых требуется высокая производительность.