Samsung Electronics анонсировала разработку самой быстрой в мире памяти DDR3 SRAM. 72-мегабайтные чипы обладают пропускной способностью в 1,5 Гбит/сек. Предназначается новая память для серверов и рабочих станций следующего поколения.

Последней разработкой компании в этой области были чипы памяти DDR II с временем доступа 0,45-0,50 наносекунд и напряжением питания в 1,8 В. Выполненная по 90-нанометровому техпроцессу память DDR3 потребляет всего лишь 1,2 В питания. Ячейки размером менее одной миллионной квадратного метра были получены с помощью фторо-криптонового лазера. Подробности технологии будут освещены на выставке International Solid-State Circuits Conference (Международная конференция по твердотельным полупроводникам), которая пройдёт с 9 по 13 февраля в Сан-Франциско, в штате Калифорния.

Кроме этого, на выставке специалисты Samsung Electronics представят двухгигабайтный модуль NAND Flash, сверхскоростной модуль памяти DDR II на 512 Мб и расскажут о применении 90-нанометрового технологического процесса и о разработке памяти SDRAM с низким энергопотреблением.

Серийное производство 72-мегабайтных модулей DDR3 начнётся во второй половине 2003 года. Пока существует только опытный образец объёмом 32 Мб.