Японская компания Toshiba объявила о создании первых в мире 128-мегабитных микросхем памяти Pseudo SRAM. Этот тип памяти, в котором технология DRAM-ячеек сочетается с интерфейсом SRAM, позволяет добиться высокой плотности хранения данных, высокой производительности, а также пониженного энергопотребления. Такие характеристики отвечают требованиям, предъявляемым к микросхемам, использующимся в мобильных телефонах и карманных компьютерах.

Две новых микросхемы, образцы которых были представлены Toshiba, выполнены по 0,175-микронной КМОП-технологии, потребляемый ток в режиме ожидания - 250 микроампер, время доступа - 70 или 75 наносекунд. Напряжение питания чипа TC51WHM716AXBN70 составляет от 2,6 до 3,3 вольта как для ядра, так и для порта ввода-вывода, а напряжение питания порта ввода-вывода модификации TC51WKM716AXBN75 составляет 1,8 вольта. Чипы выполнены в 69-контактных корпусах FBGA размером 9 х 12 мм.

128-мегабитная микросхема памяти Toshiba Pseudo SRAM

Образцы новых 128-мегабитных микросхем Toshiba Pseudo SRAM можно будет заказать в конце января 2003 года по цене в 5000 японских йен за штуку (около 42 долларов США), а массовое производство этих чипов запланировано на март текущего года. Компания Toshiba намерена выпускать около 200000 128-мегабитных микросхем Pseudo SRAM в месяц.