Компании Nanya Technology и Infineon Technologies приступили к строительству крупнейшего в мире завода по производству микросхем оперативной памяти. Завод разместится на севере Тайваня, в городе Таоюань, и вступит в строй в конце 2003 г. Оборудование предприятия ориентировано на производство микросхем по 0,09-микронной технологии с использованием кремниевых пластин диаметром 300 мм.

В ближайшие три года Nanya и Infineon инвестируют в строительство завода по 550 млн. евро. Ко второй половине 2004 г. завод будет выпускать по 20000 кремниевых пластин в месяц. К середине 2006 г. производственные мощности завода достигнут объемов в 50000 пластин в месяц. Достижение этого показателя потребует дополнительных инвестиций в размере около 1,1 млрд. евро.

По мнению главы Infineon Ульриха Шумахера, строительство нового завода позволит его компании значительно упрочить свое положение на мировом рынке оперативной памяти, добившись увеличения доли Infineon на нем до 20%. Выгодным строительство завода является и для Nanya - дочернего предприятия тайваньской корпорации Formosa Plastics Group.