Компания Hynix Semiconductor (бывшая Hyundai Electronics) объявила о создании 512-мегабайтых чипов памяти DDR SDRAM, выполненных по 0,10-микронной технологии и совместимых со стандартом DDR400, то есть обеспечивающих пропускную способность в 3,2 Гбайт/с.

Новый технологический процесс будет применяться на двух заводах Hynix в Южной Корее и одном - в США. Массовый выпуск новых 512-мегабайтных чипов компания планирует начать к концу этого года, а 256-мегабайтный и гигабайтный варианты микросхемы должны появиться в первой половине 2003 г.

В настоящее время рынок оперативной памяти примерно поровну делят между собой микросхемы, произведенные по 0,13-мкм и 0,16-мкм технологическим процессам.