Компании SanDisk и Toshiba объявили о планах по совместной разработке новых микросхем флэш-памяти на базе 90-нанометровой технологии. Как сообщает EB News, компании планируют приблизительно вдвое увеличить емкость новых микросхем по сравнению с чипами, выпускающимися по 0,13-микронной (130-нанометровой) технологии.

В рамках сотрудничества планируется создать чипы флэш-памяти емкостью до 2 Гбит на основе традиционной архитектуры и до 4 Гбит - на основе архитектуры с многоуровневыми ячейками (MLC). Партнеры рассчитывают, что переход на 0,09-микронную технологию флэш-памяти позволит им получить ряд важных преимуществ перед конкурентами и одновременно увеличить объемы производства.

Первые промышленные образцы микросхем флэш-памяти, изготовленных по 0,09-микронной технологии, появятся на рынке во второй половине 2003 г. Развертывание их массового производства намечено на начало 2004 г. Выпуск микросхем будет осуществляться на заводе Toshiba в Йоккаити, Япония, в рамках совместного предприятия FlashVision. Продажи микросхем SanDisk и Toshiba будут осуществлять под собственными марками.